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半導體芯片制造核心設備光刻機技術是各個先進國家競相爭奪的科技制高點，光刻機全球市場被荷蘭ASML、日本佳能和尼康三大巨頭所壟斷。但為了摩爾定律能夠延續(xù)，半導體制程必須進軍亞納米時代，目前最先進的EUV光刻機都是不能勝任的。我們在日本的研發(fā)團隊，做出具有獨立知識產(chǎn)權的世界首創(chuàng)顛覆性原理創(chuàng)新技術發(fā)明，對于曾經(jīng)獲得過3項諾貝爾獎的自1931年由德國物理學家魯斯卡（Ernst Ruska）設計第一臺電子顯微鏡中電子束產(chǎn)生和聚焦及控制的基本方法做了完全徹底的顛覆性原理創(chuàng)新。本創(chuàng)新技術能產(chǎn)生亞原子尺度束斑的可控電子束叢每次曝光的束斑數(shù)量達到100萬點素，達到同時分別控制產(chǎn)生數(shù)百萬點素皮米尺度電子束斑功能，以此技術制成可商業(yè)化的亞原子級高產(chǎn)能皮米制程光刻機。 【展開】 【收起】