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第三代半導(dǎo)體器件關(guān)系著我國新能源汽車、5G、工業(yè)自動化等產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，是我國推動“新基建”的關(guān)鍵。隨著摩爾定律走向納米極限和第三代半導(dǎo)體SiC、GaN器件的研發(fā)創(chuàng)新，超聲波技術(shù)在封裝領(lǐng)域的應(yīng)用日益受到關(guān)注。為此，歐美日等裝備研發(fā)企業(yè)紛紛引進超聲技術(shù)，推動裝備創(chuàng)新，支撐先進封裝制程的需要。例如，日本Disco開發(fā)了超聲切割設(shè)備用于SiC晶圓的切割；瑞士Besi開發(fā)了超聲貼片設(shè)備，實現(xiàn)功率芯片在引線框架上的高效率貼裝；美國Branson開發(fā)了玻璃陶瓷的超聲封裝設(shè)備。本項目專注于半導(dǎo)體超聲封裝這一共性技術(shù)，從最核心的超聲電源與應(yīng)用工藝出發(fā)，推動裝備的國產(chǎn)化，并為客戶提供完整解決方案。目前，本項目已經(jīng)成功開發(fā)了小功率超聲電源，實現(xiàn)了超聲微連接設(shè)備的國產(chǎn)化，并在國內(nèi)首次突破了超聲電源的寬頻技術(shù)與動態(tài)監(jiān)控技術(shù)，該設(shè)備可以應(yīng)用于芯片貼片、傳感器封裝、光電玻璃、顯示面板等多個領(lǐng)域。未來，本項目將基于我們的研發(fā)優(yōu)勢，將建立超聲系統(tǒng)研發(fā)平臺與工藝驗證平臺，開發(fā)多頻率、多功率的超聲設(shè)備，滿足各種應(yīng)用需要，推動裝備國產(chǎn)化。 【展開】 【收起】